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FII30-12E中文资料

  • 大小：72.4KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：NPT3 IGBT
  • 标准包装：24
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 阵列
  • 系列：-
  • IGBT 类型：NPT
  • 配置：半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.9V @ 15V，20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：33A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：200µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)：1.2nF @ 25V
  • 功率 - 最大：150W
  • 输入：标准型
  • NTC 热敏电阻：无
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：i4-Pac?-5
  • 供应商设备封装：ISOPLUS i4-PAC?

FII30-12E供应商

更新时间:2023-01-04 04:57:19
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